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자사 반도체 제조용 Align & Bonder Outline

페이지 정보

작성자이알케이 댓글 0건 조회 16회 작성일 22-10-13 11:05

본문

제품 사진
제품 설명

Align & Bonder Specification 


Process

Universal Bonder(u-LED & CIS & TSV)

Device & size

- 2” ~ 12” Wafer

- 2” ~ 10” Panel

 Process spec

- Temperature : < 500 ℃

- Pressure : 5,000 kg

- Ramping up : < 25 ℃/min

- Ramping down : < 25 ℃/min

- Vacuum : ATM ~ 0.05 torr

- Align accuracy :  <± 10 um (TBD)

Throughput

4 Device / hr ( 1 ea: 15 min)

Configuration

1) Bonding Module

2) Aligner: Skip(In-situ 가능 TBD)

3) Bonding Jig

4) Dry Pump

Dimension

(mm)

1,200 (W) x 1,200 (D) x 2,300 (H)

Utility

Power : 220 V 3P 100 A, 50/60 Hz

CDA : 0.4 ~ 0.7 MPa

PN2 : 0.4 ~ 0.7 MPa

PCW : 0.3 ~ 0.9 MPa

Vacuum : Dry pump (10,000 L/min)

 

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